某东旗舰品牌价格对比

2026-05-26点滴生活13

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作者: honey2004    时间: 2026-5-24 08:52
vivo X300 Ultra 16GB+512GB                                                         7959
OPPO Find X9 Ultra 16GB+512GB                                                   8499
Apple/苹果【以旧换新享额外补贴】iPhone 17 Pro Max 256GB        8999
小米(MI)小米 17 Ultra  16GB+512GB                                           6999
UAWEI Pura 90 Pro Max 16GB+512                                                7499
荣耀Magic8 Pro  16G+512GB                                                          4899
三星Galaxy S26 Ultra 12+512GB                                                     9548

Gen5的

小米 17 Ultra                  5999        骁龙 8 Elite Gen5        徕卡四摄影像
一加 15                          4299        骁龙 8 Gen5        高刷电竞屏
一加 15 Pro                  5499        骁龙 8 Gen5        哈苏调校镜头
OPPO Find X9 Pro          5299        骁龙 8 Gen5        视频拍摄强悍
OPPO Find X9 Ultra  7499        骁龙 8 Gen5        顶级影像旗舰
realme GT7 Pro          3299        骁龙 8 Gen5        高性价比性能机
vivo X300                  3999        骁龙 8 Gen5        日常均衡好用
vivo X300 Ultra          4999        骁龙 8 Gen5        蔡司专业影像
iQOO15 Pro                  4999        骁龙 8 Gen5        超大电池游戏向
荣耀 Magic8 Pro          5199        骁龙 8 Gen5        青海湖长续航电池
荣耀 Magic8 RSR          8888        骁龙 8 Gen5        陶瓷限量设计
三星 S26                          5999        骁龙 8 Gen5        国际旗舰质感
三星 S26 Ultra                  9999        骁龙 8 Gen5        Spen 手写笔
摩托 razr fold                 9999        骁龙 8 Gen5        新款大屏折叠
努比亚 Z70 Ultra        4999        骁龙 8 Gen5        屏下真全面屏


作者: honey2004    时间: 2026-5-24 08:57
3纳米达到物理极限了,以后不可能再拉一倍差距了
作者: 9090de    时间: 2026-5-24 09:00
摩尔定律呢?后面硅基芯片的集成度没法再小了吧?
作者: honey2004    时间: 2026-5-24 09:02
本帖最后由 honey2004 于 2026-5-24 09:03 编辑

工艺节点        晶体管结构                性能提升                                                                               量产进度        
3nm             FinFET                        较 5nm+15% 性能 /-30% 功耗                                              已量产        
2nm             GAA 环绕栅               大幅降低短沟漏电较 3nm+10% 性能 /-25% 功耗                   试产阶段        
1nm             CFET 堆叠管               较 2nm+8% 性能 /-20% 功耗

性能提升有限了
作者: fjmdj1127    时间: 2026-5-24 09:05
定价策略用得不错,大多是XX99
作者: yydy    时间: 2026-5-24 09:56
我用的华为,推荐你选苹果。

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